NSBA124EDXV6T1

Specifications

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Power Max

500mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Obsolete

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Akım Değeri

-100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Power Dissipation

357mW

Polarity

PNP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

6

Yüzey Montaj

YES

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

500nA

Qualification Status

COMMERCIAL

Yayın Yılı

2009

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Voltage Rated Dc

-50V

Terminal Formu

FLAT

Max Power Dissipation

500mW

Element Configuration

Dual

Hfemin

60

Currentcollector Ic Max

100mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant