NSBA123EDXV6T1

Specifications

JESD-609 Kodu

e3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Yayın Yılı

2009

Qualification Status

COMMERCIAL

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Rated Dc

-50V

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Yüzey Montaj

YES

Resistor Emitter Base R2

2.2k Ω

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz

Contains Lead

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Polaritychannel Type

PNP

Continuous Collector Current

-100mA

Temel Parça No

NSBA1*

Max Power Dissipation

500mW

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

8

Currentcollector Ic Max

100mA

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

2.2k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Akım Değeri

-100mA

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Max

500mW

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV