NSBA114TDXV6T5

Specifications

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Obsolete

Power Max

500mW

Kurşunsuz Kodu

yes

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

6

Polarity

PNP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Power Dissipation

357mW

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Voltage Rated Dc

-50V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Type

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Yayın Yılı

2006

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

JESD-609 Kodu

e3

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Temel Parça No

NSBA1*

Continuous Collector Current

-100mA

Polaritychannel Type

PNP

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99