MUN5315DW1T1

Specifications

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Max Power Dissipation

250mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Resistor Base R1

10k Ω

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Contains Lead

Qualification Status

COMMERCIAL

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

no

Pin Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2009

Pin Sayısı

6

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Obsolete

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Currentcollector Ic Max

100mA

Akım Değeri

100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e0

Power Dissipation

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

TIN LEAD