MUN5236DW1T1

Specifications

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Transistor Application

SWITCHING

Resistor Base R1

100k Ω

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Max Power Dissipation

250mW

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Voltage Rated Dc

50V

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

no

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

GULL WING

Resistor Emitter Base R2

100k Ω

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Contains Lead

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Parça Durumu

Obsolete

Polaritychannel Type

NPN

Polarity

NPN

Number Of Elements

2

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2006

Max Collector Current

100mA

Terminal Sayısı

6

Current Collector Cutoff Max

500nA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Max

250mW

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Montaj

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Continuous Collector Current

100mA