MUN5212DW1T1

Specifications

Current Collector Cutoff Max

500nA

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2005

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 10V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Terminal Kaplaması

TIN LEAD

Transistor Element Material

SILICON

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Montaj

Surface Mount

Continuous Collector Current

100mA

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Max Collector Current

100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Obsolete

Voltage Rated Dc

50V

Terminal Sayısı

6

Element Configuration

Dual

Akım Değeri

100mA

Pin Sayısı

6

JESD-609 Kodu

e0

Power Dissipation

187mW

Kurşunsuz Kodu

no

Resistor Base R1

22k Ω

Qualification Status

COMMERCIAL

Transistor Application

SWITCHING

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Terminal Formu

GULL WING

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Power Max

250mW