EMD5DXV6T1

Specifications

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Polarity

NPN

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

500mW

Transistor Element Material

SILICON

Resistor Emitter Base R2

10k Ω, 47k Ω

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V

Voltage Rated Dc

50V

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Hfemin

20

Terminal Formu

FLAT

Max Collector Current

100mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2009

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V / 20 @ 5mA 10V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Obsolete

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Akım Değeri

100mA

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz Kodu

yes

Currentcollector Ic Max

100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Continuous Collector Current

100mA

Power Max

500mW

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C