HIP6601BECBZ

Specifications

Gate Type

N-Channel MOSFET

Çalışma Sıcaklığı

0°C~125°C TJ

Rise Fall Time Typ

20ns 20ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Pozisyonu

DUAL

Min Supply Voltage

10.8V

Channel Type

Synchronous

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Uzunluk

4.89mm

Rise Time

50ns

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fonksiyon Sayısı

1

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Giriş Tipi

Non-Inverting

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

High Side Voltage Max Bootstrap

15V

Temperature Grade

OTHER

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

Kurşunsuz

Lead Free

Çıkış Akımı

730mA

Parça Durumu

Obsolete

Genişlik

3.9mm

Terminal Sayısı

8

Besleme Gerilimi

10.8V~13.2V

Yayın Yılı

2001

Pin Sayısı

8

High Side Driver

YES

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Ambalaj

Tube

Maks. Oturma Yüksekliği

1.68mm

Max Output Current

730mA

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

0°C

Yüzey Montaj

YES

Driver Configuration

Half-Bridge

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99