HIP2100EIBZT

Specifications

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Yayın Yılı

2001

Rise Fall Time Typ

10ns 10ns

Min Supply Voltage

9V

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Uzunluk

4.89mm

Current Peak Output Source Sink

2A 2A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

Turn Off Delay Time

8 ns

Fonksiyon Sayısı

1

Max Output Current

2A

Turn On Delay Time

8 ns

Terminal Formu

GULL WING

Yüzey Montaj

YES

Usage Level

Industrial grade

Gate Type

N-Channel MOSFET

Nominal Supply Current

2.5mA

Turn On Time

0.045 µs

High Side Driver

YES

Power Dissipation Max

3.1W

Number Of Drivers

2

Maks. Oturma Yüksekliği

1.68mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

HIP2100

Genişlik

3.9mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Driver Configuration

Half-Bridge

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Max Supply Current

2.5mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

ECCN Kodu

EAR99

JESD-609 Kodu

e3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Çıkış Akımı

2A

Turn Off Time

0.045 µs