HIP2100EIBZ

Specifications

Fabrika Tedarik Süresi

9 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Delay Time

8 ns

Max Output Current

2A

Fonksiyon Sayısı

1

Turn Off Delay Time

8 ns

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

Nominal Supply Current

2.5mA

Gate Type

N-Channel MOSFET

Usage Level

Industrial grade

Turn On Time

0.045 µs

Rise Fall Time Typ

10ns 10ns

Yayın Yılı

2001

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Interface Ic Type

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

Min Supply Voltage

9V

Current Peak Output Source Sink

2A 2A

Uzunluk

4.89mm

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

DUAL

Qualification Status

Not Qualified

Besleme Gerilimi

12V

Max Supply Voltage

114V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Pin Sayısı

8

Turn Off Time

0.045 µs

Çıkış Akımı

2A

Logic Voltagevil Vih

4V 7V

Output Peak Current Limitnom

2A

Ambalaj

Tube

Giriş Tipi

Non-Inverting

Besleme Gerilimi

9V~14V

High Side Voltage Max Bootstrap

114V

Terminal Sayısı

8

Temperature Grade

AUTOMOTIVE

Kurşunsuz

Lead Free

Rise Time

10ns