SBE818-TL-E

Specifications

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Element Configuration

Dual

Forward Voltage

620mV

Output Currentmax

1.5A

Peak Nonrepetitive Surge Current

20A

JESD-609 Kodu

e6

Applications

GENERAL PURPOSE

Diode Configuration

2 Independent

Operating Temperature Junction

-55°C~125°C

Diode Element Material

SILICON

Current Reverse Leakage Vr

7.5μA @ 15V

Number Of Phases

1

Max Reverse Voltage Dc

30V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Average Rectified Current

2A

Pin Sayısı

8

Max Forward Surge Current Ifsm

20A

Yayın Yılı

2012

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Reverse Recovery Time

10 ns

Forward Current

2A

Max Surge Current

20A

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Forward Vf Max If

620mV @ 2A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Pin Sayısı

8

Diode Type

Schottky

ECCN Kodu

EAR99

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Number Of Elements

2

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead