SB80W10T-TL-H

Specifications

Current Reverse Leakage Vr

100μA @ 50V

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

JESD-609 Kodu

e6

Peak Nonrepetitive Surge Current

40A

Average Rectified Current

8A

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Max Reverse Leakage Current

100μA

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

100V

Terminal Sayısı

2

Applications

GENERAL PURPOSE

Element Configuration

Dual

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Phases

1

Number Of Elements

2

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Diode Type

Schottky

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Yayın Yılı

2006

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Kurşunsuz Kodu

yes

Diode Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Max Reverse Voltage Dc

100V

Parça Durumu

Not For New Designs

Max Forward Surge Current Ifsm

40A

Pin Sayısı

3

Output Currentmax

4A

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Voltage Forward Vf Max If

800mV @ 3A

Forward Current

8A

Max Surge Current

40A