RB521S30T5G

Specifications

Terminal Pozisyonu

DUAL

Operating Temperature Junction

-55°C~125°C

Average Rectified Current

200mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Single

Contact Plating

Tin

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Max Forward Surge Current Ifsm

1A

Peak Nonrepetitive Surge Current

1A

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

2

Kurşunsuz Kodu

yes

Forward Current

200mA

Max Reverse Voltage Dc

30V

Pin Sayısı

2

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Terminal Sayısı

2

Voltage Forward Vf Max If

500mV @ 200mA

Current Reverse Leakage Vr

30μA @ 10V

Temel Parça No

RB521S30

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2005

Diode Type

Schottky

Yüzey Montaj

YES

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

FLAT

Diode Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Current Average Rectified Io

200mA DC

Kılıf / Paket

SC-79, SOD-523

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Parça Durumu

Active

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

HTS Kodu

8541.10.00.70