NUS5531MTR2G

Specifications

JESD-609 Kodu

e3

Kılıf / Paket

8-WDFN Exposed Pad

Kurşunsuz Kodu

yes

Drain To Source Resistance

32mOhm

Power Dissipation

1.46W

Dc Current Gainmin Hfe

150

Pin Sayısı

8

Applications

General Purpose

Turn On Delay Time

8 ns

Pin Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Akım Değeri

5.47A

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Drain To Source Breakdown Voltage

12V

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

PNP, P-Channel

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Rating Amps

2A PNP 5.47A P-Channel

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Pozisyonu

DUAL

Case Connection

DRAIN

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Obsolete

Collector Currentmax Ic

2A

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Continuous Drain Current Id

5.47A

Rise Time

17.5ns

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

8

Element Configuration

Single

Drain Currentmax Abs Id

4.4A

Turn Off Delay Time

80 ns

Nominal Gerilim

20V PNP 12V P-Channel