NUS5530MNR2G

Specifications

Applications

General Purpose

Fall Timemax Tf

70ns

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

2A

Genişlik

3.3mm

Power Dissipation

635mW

Pin Sayısı

8

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Frequency

100MHz

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Akım Değeri

3.9A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pulsed Drain Currentmax Idm

20A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Collectoremitter Saturation Voltage

-100mV

Rise Timemax

55ns

Current Rating Amps

2A PNP 3.9A P-Channel

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

Temel Parça No

NUS5530MN

Collector Base Voltage Vcbo

-55V

Collector Emitter Voltage Vceo

35V

Element Configuration

Dual

Nominal Gerilim

35V PNP 20V P-Channel

Gate To Source Voltage Vgs

-35V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

950μm

Continuous Drain Current Id

-3.9A

Dc Current Gainmin Hfe

100

Drain To Source Resistance

200Ohm

Kılıf / Paket

8-VDFN Exposed Pad

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Type

NPN, P-Channel

Emitter Base Voltage Vebo

-5V