NTHD3100CT1G

Specifications

Fall Time Typ

11.7 ns

Gate To Source Voltage Vgs

8V

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

3.9A

Akım Değeri

2.9A

Fet Type

N and P-Channel

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

16 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

165pF @ 10V

Weight

4.535924g

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

1.65mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2005

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

C BEND

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Threshold Voltage

-1.5V

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yükseklik

1.05mm

Current Continuous Drain Id25

2.9A 3.2A

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-SMD, Flat Lead

Kurşunsuz

Lead Free

Kurşunsuz Kodu

yes

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Power Dissipation

1.1W

Rds On Max Id Vgs

80m Ω @ 2.9A, 4.5V

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Temel Parça No

NTHD3100C