NSBC115EDXV6T1G

Specifications

Max Power Dissipation

500mW

Terminal Formu

FLAT

Hfemin

80

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

100k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Continuous Collector Current

100mA

Temel Parça No

NSBC1*

Number Of Elements

2

Uzunluk

1.7mm

Pin Sayısı

6

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Yüzey Montaj

YES

Resistor Emitter Base R2

100k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Max Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2010

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Voltage Rated Dc

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Power Dissipation

357mW

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Polarity

NPN

Terminal Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING