NSBA114YDXV6T1G

Specifications

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Max Power Dissipation

500mW

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Terminal Formu

FLAT

Operating Supply Voltage

50V

Hfemin

80

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21

Element Configuration

Dual

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

10k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Collector Current

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

357mW

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Collector Current

-100mA

Polarity

PNP

Temel Parça No

NSBA1*

Number Of Elements

2

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Max Output Current

100mA

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Fabrika Tedarik Süresi

2 Weeks

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)