MUN5312DW1T2G

Specifications

Terminal Sayısı

6

Max Power Dissipation

385mW

Max Collector Current

100mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2010

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Element Configuration

Dual

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500nA

Resistor Base R1

22k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polarity

NPN, PNP

Hfemin

60

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Power Dissipation

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 10V

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Continuous Collector Current

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Yüzey Montaj

YES

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99