MMBV2108LT1

Specifications

Kurşunsuz Kodu

no

Yayın Yılı

2006

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Frequency Band

HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY

Q Vr F

300 @ 4V, 50MHz

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Lifecycle Status

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

Diode Capacitancenom

27pF

Quality Factormin

300

Capacitance Ratio Condition

C2/C30

Additional Feature

HIGH Q, HIGH RELIABILITY

Power Dissipation Max

0.225W

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Diode Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Diode Type

Single

Voltage Rated Dc

30V

Capacitance Vr F

29.7pF @ 4V 1MHz

Capacitance Ratio

3.2

Diode Cap Tolerance

10%

Terminal Formu

GULL WING

Montaj

Surface Mount

Reverse Voltage

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Kapasitans

24.3pF

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Number Of Elements

1

HTS Kodu

8541.10.00.80

JESD-609 Kodu

e0

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Terminal

SMD/SMT

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ