APTGT75DH120TG

Specifications

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Pin Sayısı

20

Power Max

357W

Max Power Dissipation

357W

Yayın Yılı

2006

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

14

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Igbt Type

Trench Field Stop

Transistor Application

POWER CONTROL

JESD-609 Kodu

e1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

250μA

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Input Capacitance

5.34nF

Kılıf / Paket

SP4

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Cies Vce

5.34nF @ 25V

Vceon Max Vge Ic

2.1V @ 15V, 75A

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Terminal Sayısı

14

Configuration

Asymmetrical Bridge

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Elements

2

Case Connection

ISOLATED

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Montaj

Chassis Mount, Screw

Input

Standard

Turn On Time

335 ns

Ntc Thermistor

Yes

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Pozisyonu

UPPER