APTGT200DA60T3AG

Specifications

Ambalaj

Tube

Terminal Pozisyonu

UPPER

Pd Power Dissipation

750 W

Collector Emitter Voltage Vceo Max

600 V

Temel Ürün No

APTGT200

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

12.3nF @ 25V

Max Collector Current

290A

Input

Standard

Currentcollector Ic Max

290 A

Ürün Durumu

Active

Vcesatmax

1.9 V

Kılıf / Paket

SP3

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current At25 C

290 A

Jesd30 Code

R-XUFM-X8

Terminal Sayısı

8

Input Capacitance

12.3nF

Fabrika Paket Adedi

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600 V

Turn Off Timenom Toff

370 ns

Power Max

750W

Gateemitter Voltagemax

20V

Configuration

Single

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

25

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Yayın Yılı

2012

Montaj Tipi

Chassis Mount

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Max Power Dissipation

750W

Current Collector Cutoff Max

250μA

Case Connection

ISOLATED

Tedarikçi Cihaz Paketi

SP3

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 100 C