APTGT150DH60TG

Specifications

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

Asymmetrical Bridge

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Power Max

480W

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Turn Off Timenom Toff

370 ns

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600 V

Fabrika Paket Adedi

1

Jesd30 Code

R-XUFM-X14

Terminal Sayısı

14

Input Capacitance

9.2nF

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current At25 C

225 A

Kılıf / Paket

SP4

Birim Ağırlık

3.880136 oz

Ürün Durumu

Active

Currentcollector Ic Max

225 A

Input

Standard

Max Collector Current

225A

Kurşunsuz Kodu

yes

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

9.2nF @ 25V

Temel Ürün No

APTGT150

Collector Emitter Voltage Vceo Max

600 V

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Pd Power Dissipation

480 W

Terminal Pozisyonu

UPPER

Ambalaj

Tube

Paket

Bulk

Parça Durumu

Active

JESD-609 Kodu

e1

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5 V

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Montaj

Chassis Mount, Screw

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 15V, 150A