APTGT150A60T1G

Specifications

Pd Power Dissipation

480 W

Terminal Pozisyonu

UPPER

Ambalaj

Tube

Kılıf / Paket

SP1

Birim Ağırlık

2.821917 oz

Vcesatmax

1.9 V

Ürün Durumu

Active

Currentcollector Ic Max

225 A

Input

Standard

Max Collector Current

225A

Kurşunsuz Kodu

yes

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

9.2nF @ 25V

Temel Ürün No

APTGT150

Collector Emitter Voltage Vceo Max

600 V

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Turn Off Timenom Toff

370 ns

Terminal Sayısı

12

Input Capacitance

9.2nF

Fabrika Paket Adedi

1

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current At25 C

225 A

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Configuration

Half Bridge

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Gateemitter Voltagemax

20V

Power Max

480W

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 100 C

Tedarikçi Cihaz Paketi

SP1

Case Connection

ISOLATED

Current Collector Cutoff Max

250μA

Max Power Dissipation

480W

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Lifecycle Status

Production (Last Updated: 2 months ago)

Montaj Tipi

Chassis Mount