APTGT100H120G

Specifications

Gateemitter Voltagemax

20V

Power Max

480W

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Configuration

Full Bridge Inverter

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Continuous Collector Current At25 C

140 A

Terminal Sayısı

12

Input Capacitance

7.2nF

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Fabrika Paket Adedi

1

Turn Off Timenom Toff

610 ns

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Collector Emitter Voltage Vceo Max

1.2 kV

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Temel Ürün No

APTGT100

Input Capacitance Cies Vce

7.2nF @ 25V

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Kurşunsuz Kodu

yes

Input

Standard

Max Collector Current

140A

Currentcollector Ic Max

140 A

Ürün Durumu

Active

Kılıf / Paket

SP6

Vcesatmax

2.1 V

Birim Ağırlık

3.880136 oz

Ambalaj

Tube

Terminal Pozisyonu

UPPER

Pd Power Dissipation

480 W

Vceon Max Vge Ic

2.1V @ 15V, 100A

Montaj

Chassis Mount, Screw

Collectoremitter Saturation Voltage

1.7 V

Terminal Formu

UNSPECIFIED

JESD-609 Kodu

e1

Paket

Bulk

Parça Durumu

Active