APTGT100DA60T1G

Specifications

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Power Max

340W

Gateemitter Voltagemax

20V

Configuration

Single

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Turn Off Timenom Toff

370 ns

Continuous Collector Current At25 C

150 A

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600 V

Terminal Sayısı

12

Input Capacitance

6.1nF

Fabrika Paket Adedi

1

Ürün Durumu

Active

Birim Ağırlık

2.821917 oz

Vcesatmax

1.9 V

Kılıf / Paket

SP1

Max Collector Current

150A

Input

Standard

Currentcollector Ic Max

150 A

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

6.1nF @ 25V

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo Max

600 V

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Temel Ürün No

APTGT100

Pd Power Dissipation

340 W

Terminal Pozisyonu

UPPER

Ambalaj

Tube

JESD-609 Kodu

e1

Parça Durumu

Active

Paket

Bulk

Collectoremitter Saturation Voltage

1.5 V

Terminal Formu

THROUGH-HOLE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 15V, 100A