APTGT100A170TG

Specifications

Transistor Element Material

SILICON

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Power Max

560W

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Configuration

Half Bridge

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Turn Off Timenom Toff

1100 ns

Continuous Collector Current At25 C

150 A

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Fabrika Paket Adedi

1

Jesd30 Code

R-XUFM-X12

Terminal Sayısı

12

Input Capacitance

9nF

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1700V

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Power Dissipation

560

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

9nF @ 25V

Kurşunsuz Kodu

yes

Collector Emitter Voltage Vceo Max

1.7 kV

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Temel Ürün No

APTGT100

Kurşunsuz

Lead Free

Ürün Durumu

Active

Kılıf / Paket

SP4

Vcesatmax

2.4 V

Birim Ağırlık

3.880136 oz

Input

Standard

Max Collector Current

150A

Turn Off Delay Time

650 ns

Currentcollector Ic Max

150 A

Ambalaj

Tube

Pd Power Dissipation

560 W

Terminal Pozisyonu

UPPER

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Collectoremitter Saturation Voltage

2 V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED