APTGL325A120D3G

Specifications

Pd Power Dissipation

1.5 kW

Terminal Pozisyonu

UPPER

Ambalaj

Bulk

Kılıf / Paket

D-3 Module

Vcesatmax

2.2 V

Ürün Durumu

Active

Currentcollector Ic Max

420 A

Input

Standard

Max Collector Current

420A

Gateemitter Leakage Current

400 nA

Input Capacitance Cies Vce

18.6nF @ 25V

Temel Ürün No

APTGL325

Collector Emitter Voltage Vceo Max

1.2 kV

Power Dissipation

1.5

Turn Off Timenom Toff

530 ns

Terminal Sayısı

7

Input Capacitance

18.6nF

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Fabrika Paket Adedi

1

Continuous Collector Current At25 C

420 A

Minimum Operating Temperature

- 40 C

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

Half Bridge

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Gateemitter Voltagemax

20V

Power Max

1500W

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 125 C

Tedarikçi Cihaz Paketi

D3

Case Connection

ISOLATED

Current Collector Cutoff Max

5mA

Max Power Dissipation

1.5kW

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Lifecycle Status

Production (Last Updated: 1 month ago)

Montaj Tipi

Chassis Mount

Yayın Yılı

2012

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V