APT75GP120B2G

Specifications

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150 °C

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

3

Fabrika Paket Adedi

1

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Collector Current Ic Max

100 A

Paket

Tube

Operating Temperature Range

- 55 C to + 150 C

Power Max

1042W

Currentcollector Ic Max

100 A

Uzunluk

21.46mm

Ürün Durumu

Active

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55 °C

Vceon Max Vge Ic

3.9V @ 15V, 75A

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Ambalaj

Tube

Seri

POWER MOS 7®

Ürün Tipi

IGBT Transistors

Collectoremitter Saturation Voltage

3.3V

Element Configuration

Single

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Birim Ağırlık

0.580821 oz

Additional Feature

ULTRA FAST, LOW CONDUCTION LOSS

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

Continuous Collector Current At25 C

100 A

Case Connection

COLLECTOR

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Kurşunsuz Kodu

yes

Current Collector Pulsed Icm

300A

Gateemitter Leakage Current

100 nA

Temel Ürün No

APT75GP120

Fabrika Tedarik Süresi

23 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 150 C

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Pd Power Dissipation

1.042 kW

Gate Charge

320nC

Transistor Application

POWER CONTROL