NAND01GW3B2CN6E

Specifications

Write Cycle Timemax Twc

25ms

Pin Sayısı

48

Word Size

8b

Montaj Tipi

Surface Mount

Memory Interface

Parallel

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Toggle Bit

NO

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Fonksiyon Sayısı

1

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Page Size

2kB

Besleme Gerilimi

3V

Data Polling

NO

Memory Format

FLASH

Yayın Yılı

2008

Maks. Oturma Yüksekliği

1.2mm

Memory Types

Non-Volatile

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Power Supplies

3/3.3V

HTS Kodu

8542.32.00.51

Kılıf / Paket

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

Density

1 Gb

Pin Sayısı

48

Temel Parça No

NAND01G-A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Sector Size

128K

Access Time Max

25000 ns

Programming Voltage

3V

Reach Svhc

No SVHC

Uzunluk

18.4mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Readybusy

YES

Memory Width

8

Number Of Sectorssize

1K

Memory Size

1Gb 128M x 8

Ambalaj

Tray

Terminal Adımı

0.5mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)