GS1ME-TP

Specifications

Speed

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Nonrep Pk Forward Currentmax

30A

Pin Sayısı

2

Output Currentmax

1A

Parça Durumu

Obsolete

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Diode Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Configuration

SINGLE

HTS Kodu

8541.10.00.80

Terminal Pozisyonu

DUAL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

10

Voltage Forward Vf Max If

1.1V @ 1A

Jesd30 Code

R-PDSO-C2

Terminal Sayısı

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Current Average Rectified Io

1A

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Reverse Leakage Vr

5μA @ 1000V

JESD-609 Kodu

e3

Yayın Yılı

2004

Kurşunsuz Kodu

yes

Diode Type

Standard

Operating Temperature Junction

-55°C~150°C

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Formu

C BEND

Rep Pk Reverse Voltagemax

1000V

Capacitance Vr F

15pF @ 4V 1MHz

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Dc Reverse Vr Max

1000V

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Operating Temperature Max

150°C

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

DO-214AC, SMA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Temel Parça No

GS1ME