04021J1R3P4STR500

Specifications

Yükseklik

0.4 mm

Current Continuous Drain Id25

10A (Ta)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tedarikçi Cihaz Paketi

ITO-220AB

Nominal Gerilim

100 V

Montaj Tipi

Through Hole

Rds On Max Id Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Terminal Stili

SMD/SMT

Genişlik

0.55 mm

Tip

Thin Film

Vgsth Max Id

4V @ 250µA

Power Dissipation Max

50W (Tc)

Özellikler

General Purpose

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 125 C

Uzunluk

1 mm

Maks. Oturma Yüksekliği

0.020 (0.50mm)

Input Capacitance Ciss Max Vds

1200 pF @ 25 V

Ürün Durumu

Obsolete

Paket

Tube

Kılıf Kodu (inç)

0402

Kapasitans

1.3 pF

Kılıf / Paket

TO-220-3 Full Pack

Fet Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Kılıf Kodu (mm)

1005

Gate Charge Qg Max Vgs

20 nC @ 10 V

Boyut / Ölçü

0.039 L x 0.022 W (1.00mm x 0.55mm)

Ürün Tipi

Silicon RF Capacitors / Thin Film

Drain To Source Voltage Vdss

650 V

Drive Voltage Max Rds On Min Rds On

10V

Tolerans

±0.02pF

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Vgs Max

±30V