TC58NVG1S3HBAI6

Specifications

Besleme Gerilimi

3.3V

Programming Voltage

3.3V

Write Cycle Time Word Page

25ns

Ambalaj

Tray

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Memory Format

FLASH

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Memory Interface

Parallel

Memory Density

2147483648 bit

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Terminal Sayısı

67

Uzunluk

8mm

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Organization

256MX8

Genişlik

6.5mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Maks. Oturma Yüksekliği

1mm

Memory Types

Non-Volatile

Jesd30 Code

R-PBGA-B67

Kılıf / Paket

67-VFBGA

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Memory Width

8

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Size

2Gb 256M x 8

Terminal Adımı

0.8mm