TC58BVG0S3HTAI0

Specifications

Memory Interface

Parallel

Memory Format

FLASH

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Write Cycle Time Word Page

25ns

Ambalaj

Tray

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Besleme Gerilimi

3.3V

Programming Voltage

3.3V

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Size

1Gb 128M x 8

Terminal Adımı

0.5mm

Memory Types

Non-Volatile

Maks. Oturma Yüksekliği

1.2mm

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Jesd30 Code

R-PDSO-G48

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Kılıf / Paket

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

Memory Width

8

Genişlik

12mm

Organization

128MX8

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Parça Durumu

Active

Memory Density

1073741824 bit

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

18.4mm

Terminal Sayısı

48

Seri

Benand™