TC58BVG0S3HBAI6

Specifications

Memory Format

FLASH

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Memory Interface

Parallel

Besleme Gerilimi

3.3V

Programming Voltage

3.3V

Write Cycle Time Word Page

25ns

Ambalaj

Tray

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Maks. Oturma Yüksekliği

1mm

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Memory Types

Non-Volatile

Jesd30 Code

R-PBGA-B67

Kılıf / Paket

67-VFBGA

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Memory Width

8

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Memory Size

1Gb 128M x 8

Terminal Adımı

0.8mm

Memory Density

1073741824 bit

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Terminal Sayısı

67

Seri

Benand™

Uzunluk

8mm

Organization

128MX8

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Genişlik

6.5mm

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active