TC58BVG0S3HBAI4

Specifications

Write Cycle Time Word Page

25ns

Ambalaj

Tray

Fonksiyon Sayısı

1

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Besleme Gerilimi

3.3V

Programming Voltage

3.3V

Memory Interface

Parallel

Memory Format

FLASH

Operating Mode

ASYNCHRONOUS

Besleme Gerilimi

2.7V~3.6V

Genişlik

9mm

Organization

128MX8

Supply Voltagemax Vsup

3.6V

Yüzey Montaj

YES

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Memory Density

1073741824 bit

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Uzunluk

11mm

Terminal Sayısı

63

Seri

Benand™

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C TA

Terminal Adımı

0.8mm

Memory Size

1Gb 128M x 8

Memory Types

Non-Volatile

Maks. Oturma Yüksekliği

1mm

Supply Voltagemin Vsup

2.7V

Jesd30 Code

R-PBGA-B63

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Kılıf / Paket

63-VFBGA

Memory Width

8