MWI300-17E9

Specifications

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1700V

Terminal Sayısı

17

Configuration

Three Phase

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.7kV

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~125°C TJ

Transistor Application

POWER CONTROL

Turn Off Timenom Toff

610 ns

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Collector Emitter Voltage Vceo

2.7V

Kurşunsuz Kodu

yes

Vceon Max Vge Ic

2.7V @ 15V, 300A

Ntc Thermistor

Yes

Terminal Pozisyonu

UPPER

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

1mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Yayın Yılı

2007

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Input Capacitance Cies Vce

33nF @ 25V

Jesd30 Code

R-XUFM-X17

Montaj

Chassis Mount

Parça Durumu

Active

Input

Standard

Qualification Status

Not Qualified

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Number Of Elements

6

Turn On Time

290 ns

Power Max

2200W

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Pin Sayısı

29

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gateemitter Voltagemax

20V

Max Collector Current

500A

Kılıf / Paket

E+

Max Power Dissipation

2.2kW

Case Connection

ISOLATED

Pin Sayısı

29