IRF5850TRPBF

Specifications

Turn Off Delay Time

31 ns

Power Max

960mW

Element Configuration

Dual

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Yükseklik

1.143mm

Input Capacitance

320pF

Drain To Source Resistance

220mOhm

Rds On Max Id Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Gate Charge Qg Max Vgs

5.4nC @ 4.5V

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tedarikçi Cihaz Paketi

6-TSOP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

8.3 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Genişlik

1.75mm

Continuous Drain Current Id

-2.2A

Yayın Yılı

2005

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Fall Time Typ

28 ns

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Max Power Dissipation

960mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

960mW

Temel Parça No

IRF5850PBF

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

2.2A

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Rds On Max

135 mΩ

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

2 (1 Year)

Rise Time

14ns

Fet Feature

Logic Level Gate

Uzunluk

2.9972mm

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance Ciss Max Vds

320pF @ 15V