IRF5850TR

Specifications

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Power Max

960mW

Rds On Max Id Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Input Capacitance

320pF

Akım Değeri

-2.2A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

6-TSOP

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gate Charge Qg Max Vgs

5.4nC @ 4.5V

Yayın Yılı

2003

Continuous Drain Current Id

2.2A

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

960mW

Drain To Source Breakdown Voltage

-20V

Seri

HEXFET®

Montaj Tipi

Surface Mount

Rds On Max

135 mΩ

Current Continuous Drain Id25

2.2A

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA

Fet Feature

Logic Level Gate

Voltage Rated Dc

-20V

Rise Time

14ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

320pF @ 15V