BSO150N03MDGXUMA1

Specifications

Drainsource On Resistancemax

0.015Ohm

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Power Max

1.4W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 10V

Temel Parça No

BSO150N03

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Input Capacitance Ciss Max Vds

1300pF @ 15V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

ECCN Kodu

EAR99

Fet Feature

Logic Level Gate

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2009

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Terminal Formu

GULL WING

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Current Continuous Drain Id25

8A

Pin Sayısı

8

Jesd30 Code

R-PDSO-G8

Montaj Tipi

Surface Mount

Yüzey Montaj

YES

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Drain Currentmax Abs Id

7A

Seri

OptiMOS™

Transistor Element Material

SILICON

Qualification Status

Not Qualified

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Transistor Application

SWITCHING

Parça Durumu

Active