EL3H7(B)(TA)-VG

Specifications

Fall Time Typ

18 μs

Yayın Yılı

2010

Çıkış Tipi

Transistor

Output Current Per Channel

50mA

Max Collector Current

50mA

Current Transfer Ratiomin

130% @ 5mA

Max Power Dissipation

200mW

Power Dissipation

200mW

Max Input Current

50mA

Max Output Voltage

80V

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Configuration

SINGLE

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Fall Time Typ

5μs 3μs

Reverse Breakdown Voltage

6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Isolation

3750Vrms

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Kılıf / Paket

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Onay Kuruluşu

UL

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Current Transfer Ratio Max

260% @ 5mA

Vce Saturation Max

200mV

Rise Time

18μs

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~110°C

Kurşunsuz

Lead Free

Forward Current

50mA

Number Of Elements

1

Number Of Channels

1

Kurşunsuz Kodu

yes

Voltage Forward Vf Typ

1.2V

Giriş Tipi

DC

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V