EL3H7(A)(TA)-G

Specifications

Çıkış Tipi

Transistor

Yayın Yılı

2008

Fall Time Typ

18 μs

Output Current Per Channel

50mA

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Configuration

SINGLE

Max Input Current

50mA

Power Dissipation

200mW

Current Transfer Ratiomin

80% @ 5mA

Max Power Dissipation

200mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Fall Time Typ

5μs 3μs

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Isolation

3750Vrms

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reverse Breakdown Voltage

6V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Onay Kuruluşu

UL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Vce Saturation Max

200mV

Current Transfer Ratio Max

160% @ 5mA

Forward Current

50mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~110°C

Rise Time

18μs

Number Of Elements

1

Voltage Forward Vf Typ

1.2V

Kurşunsuz Kodu

yes

Number Of Channels

1

Output Voltage

80V

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Giriş Tipi

DC