EL3H4(A)(TB)-G

Specifications

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Isolation

3750Vrms

Radyasyon Dayanımı

No

Forward Currentmax

0.05A

Kılıf / Paket

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Fall Time Typ

6μs 8μs

Current Transfer Ratiomin

50% @ 1mA

Max Power Dissipation

200mW

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

4

Configuration

SINGLE

Max Input Current

50mA

Additional Feature

UL APPROVED

Çıkış Tipi

Transistor

Yayın Yılı

2013

Output Voltage

80V

Number Of Channels

1

Voltage Forward Vf Typ

1.2V

Kurşunsuz Kodu

yes

Giriş Tipi

AC, DC

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~100°C

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Current Transfer Ratio Max

150% @ 1mA

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tape & Reel (TR)