ZXMC3A17DN8TA

Specifications

Akım Değeri

5.4A

Fet Type

N and P-Channel

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Power Dissipation

2.1W

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Element Material

SILICON

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Pozisyonu

DUAL

Fall Time Typ

8.7 ns

Turn On Delay Time

1.7 ns

Parça Durumu

Active

Weight

73.992255mg

Current Continuous Drain Id25

4.1A 3.4A

Rise Time

2.9ns

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Threshold Voltage

1V

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 7.8A, 10V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Montaj Tipi

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Yayın Yılı

2006

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Reach Svhc

No SVHC

Power Dissipation

2.1W

Fet Feature

Logic Level Gate

Continuous Drain Current Id

5.4A

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

1V @ 250μA (Min)

Uzunluk

5mm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Sayısı

8

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

4mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

600pF @ 25V

Yükseklik

1.5mm