ZDT6790TA

Specifications

Transistor Type

NPN, PNP

Max Collector Current

2A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

400 @ 1A 2V / 300 @ 10mA 2V

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Power Dissipation

2.75W

Terminal Sayısı

8

Power Dissipation

2.75W

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2006

Uzunluk

6.7mm

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transition Frequency

150MHz

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Turn On Delay Time

33 ns

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

8-SMD, Gull Wing

Hfemin

150

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Pin Sayısı

8

Continuous Collector Current

2A

Akım Değeri

2A

Yükseklik

1.6mm

Turn Off Delay Time

1.3 μs

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

45V 40V

Collectoremitter Breakdown Voltage

40V

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Genişlik

3.7mm

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Dual

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

ZDT6790

Gain Bandwidth Product

150MHz

Transistor Application

SWITCHING

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Transistor Element Material

SILICON

Max Breakdown Voltage

40V