SBR1U200P1-7

Specifications

Forward Current

1A

Output Currentmax

1A

Diode Element Material

SILICON

Reach Svhc

No SVHC

Average Rectified Current

1A

Uzunluk

3mm

Max Reverse Voltage Dc

200V

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Junction Temperature Tj

175°C

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Forward Voltage

820mV

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reverse Recovery Time

25 ns

Terminal Pozisyonu

DUAL

Peak Reverse Current

50μA

Current Reverse Leakage Vr

50μA @ 200V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Kurşunsuz

Lead Free

Voltage Forward Vf Max If

820mV @ 1A

Operating Temperature Junction

-65°C~175°C

Number Of Elements

1

Yayın Yılı

2012

Pin Sayısı

2

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Max Forward Surge Current Ifsm

40A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kılıf / Paket

POWERDI®123

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Yükseklik

1mm

Parça Durumu

Active

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

2

Manufacturer Package Identifier

PowerDI123

Max Power Dissipation

900mW

JESD-609 Kodu

e3

Genişlik

1.93mm

Kurşunsuz Kodu

no

Temel Parça No

SBR1U200