MMDT5451-7-F

Specifications

Hfemin

60

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Collector Base Voltage Vcbo

180V

Max Breakdown Voltage

150V

Max Power Dissipation

200mW

Voltage Rated Dc

160V

Yayın Yılı

2007

Transistor Type

NPN, PNP

Akım Değeri

200mA

Uzunluk

2.2mm

Polarity

NPN, PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

Weight

6.010099mg

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Temel Parça No

MMDT5451

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Genişlik

1.35mm

Current Collector Cutoff Max

50nA ICBO

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

160V 150V

Pin Sayısı

6

Yükseklik

1mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

150V

Element Configuration

Dual

Gain Bandwidth Product

300MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 10mA 5V / 60 @ 10mA 5V

Continuous Collector Current

-200mA

Transistor Application

SWITCHING

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

19 Weeks

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

200mV

Transition Frequency

100MHz

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

ECCN Kodu

EAR99

Frekans

300MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Collectoremitter Saturation Voltage

200mV