MBR1630

Specifications

Applications

EFFICIENCY

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Diode Element Material

SILICON

Kurşunsuz Kodu

no

Yükseklik

8.89mm

Element Configuration

Single

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS

Genişlik

4.82mm

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Through Hole

Yayın Yılı

2005

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Peak Reverse Current

200μA

Parça Durumu

Obsolete

Forward Voltage

630mV

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

JESD-609 Kodu

e3

ECCN Kodu

EAR99

Diode Type

Schottky

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Uzunluk

10.4mm

Average Rectified Current

16A

Max Forward Surge Current Ifsm

150A

Capacitance Vr F

450pF @ 4V 1MHz

Forward Current

16A

Ambalaj

Tube

Kılıf / Paket

TO-220-2

Current Reverse Leakage Vr

200μA @ 30V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Pin Sayısı

2

Voltage Forward Vf Max If

630mV @ 16A

Max Reverse Voltage Dc

30V

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Weight

6.000006g

HTS Kodu

8541.10.00.80