DGD2190S8-13

Specifications

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Rise Fall Time Typ

25ns 20ns

Gate Type

IGBT, N-Channel MOSFET

Kurşunsuz Kodu

yes

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Logic Voltagevil Vih

0.8V 2.5V

Channel Type

Independent

Giriş Tipi

Non-Inverting

High Side Voltage Max Bootstrap

600V

Number Of Drivers

2

Driver Configuration

Half-Bridge

Pin Sayısı

8

Current Peak Output Source Sink

4.5A 4.5A

Max Output Current

4.5A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Parça Durumu

Not For New Designs

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Besleme Gerilimi

10V~20V

Fabrika Tedarik Süresi

14 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2016