Shipping
Same-day dispatch from stock
Genuine parts
Verified sourcing
RoHS
Compliant
Support
Technical team support
Specifications
- Write Cycle Time Word Page
- 55ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Syncasync
- Asynchronous
- Pin Sayısı
- 52
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 5.08mm
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Word Size
- 8b
- Terminal Sayısı
- 52
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Ambalaj
- Tube
- Standby Currentmax
- 0.015A
- Access Time Max
- 55 ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Format
- SRAM
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 20
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- ECCN Kodu
- EAR99
- Montaj
- Surface Mount
- Density
- 16 kb
- Temel Parça No
- CY7C146
- Memory Width
- 8
- Pin Sayısı
- 52
- Yayın Yılı
- 2003
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Number Of Ports
- 2
- Io Type
- COMMON
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
Related Products
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory